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Ducagire (---.---.102.41) 29 janvier 2007 18:25

Juste concernant le GaAs. Il s’agit evidemment de ceci.

Wikipedia comporte des informations mais il s’agit d’un résumé parfois bien fait et parfois incomplet. Donc, pour reprendre le texte sur le solaire voici quelques infos supplémentaires avec les publications scientifiques correspondantes.

L’association d’AsGa peut se révéler supérieure aux solutions tout silicium. En effet le gap relativement important de 1.43eV permet l’emploi à des températures notablement supérieures à l’ambiante, ce qui n’est pas le cas du silicium. Le seuil de 20% de rendement a pu être franchi dès 1975 chez Varian (Palo Alto, Ca.) en concentrant le rayonnement solaire à l’aide d’un miroir. R.L. Bell estimait alors qu’il serait possible de concentrer plus de 1000 fois le rayonnement solaire et de réduire alors à 8m2 la surface de GaAs pour une centrale de 1MW. La principale limitation des performances tient à la grande vitesse de recombinaison des porteurs en surface.

W. James & al., Appl Phys Lett, 26 (1975) pp 467

Bell & al., Proc 11th IEEE Photovoltaic Spec. Conf, Phoenix, 1975

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